IRF 520 N

IRF520N Transistor MOSFET N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100 V
Drainstrom: 9,7 A
Verlustleistung: 48 W
Einschaltwiderstand: 0,2 Ohm
Gehäuse: TO-220AB

Produkt-ID: 01041

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St


Technische Daten

IRF 520N
Leistungs-MOSFET

Polarität: N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100V
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom: 9,7 A
Verlustleistung: 48 W
Einschaltwiderstand: 0,2 Ohm
Gate-Schwellenspannung: 2 V
Einschaltverzögerung: 4,5 ns
Ausschaltverzögerung: 32 ns
Gehäuse: TO220AB
RoHS: konform

International Rectifier
IRF520NPbF

Datenblatt [169 KB]


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