BS108

BS108
Transistor MOSFET N-Kanal Logic Level

Drain-Source-Spannung: 200V
Drainstrom: 0,25A
Verlustleistung: 0,35W
Gehäuse: TO-92

Produkt-ID: 01931

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St


Hersteller: ON Semiconductor
Herstellerbezeichnung: BS108ZL1G

Versandgewicht: 0,5 g
RoHS: konform

Technische Daten

BS 108 Transistor
Transistortyp MOSFET N-Channel
Drain-Source Spannung 200 V
Drainstrom 250 mA
Leistung 350 mW
Transitfrequenz (ft)  
Rds On - Drain-Source-Widerstand 8 Ohm
Gehäuse TO-92

Datenblatt

Kunden kauften

NTC K164 1.5K

EPCOS NTC-Widerstand B57164K 1.5 kOhm 10% 0.45 Watt

SMD-Induktivität 1206 4.7uH

Festinduktivität LQM31PN4R7M00L 4,7 H 20% 1206

CSTCC 8.00 MHz

SMD-Keramik-Resonator CSTCC 8,00MHZ

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